型号:MT9HTF12872KY-53EA2 | 类别:存储器 - 模块 | 制造商:Micron Technology Inc |
封装:244-DIMM | 描述:MODULE DDR2 1GB 244-DIMM |
详细参数
类别 | 存储器 - 模块 |
---|---|
描述 | MODULE DDR2 1GB 244-DIMM |
系列 | - |
制造商 | Micron Technology Inc |
存储器类型 | DDR2 SDRAM |
存储容量 | 1GB |
速度 | 533MT/s |
特点 | - |
封装/外壳 | 244-DIMM |
供应商
深圳市芯宇华航科技有限公司 | 张先生18025408677 |
深圳市科雨电子有限公司 | 卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷171-4729-0036(微信同号) |
深圳市芯宇华航科技有限公司 | 江小姐+86 18025419171 |
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD | 刘先生13910052844(微信同步) |
北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
MT9HTF12872KY-53EA2相关型号
- T95V106K6R3LZSL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1410
- T97H337K020EAA
钽
Vishay Sprague
3226(8066 公制)
CAP TANT 330UF 20V 10% 3226
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Bourns Inc.
DO-214AA,SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BI 5% SMD
- SR201E104MARTR2
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL
- MT9HTF12872AZ-80EH1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-UDIMM
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM
- TC164-JR-073K9L
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 3.9K OHM 4 RES 1206
- STB30NM60N
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- T95V106M6R3ESSL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- T97R106K075LSA
钽
Vishay Sprague
2824(7260 公制)
CAP TANT 10UF 75V 10% 2824
- SR201E224MAA
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- TC164-JR-073K9L
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 3.9K OHM 4 RES 1206
- STB34NM60N
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
- T95V106M6R3EZAL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- MT9HTF12872KY-40EA1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-MDIMM
MODULE DDR2 1GB 244-MDIMM
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Bourns Inc.
DO-214AA,SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BI 5% SMD
- SR201E224MAATR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- T95V106M6R3EZSL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- STB40N20
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
- TC164-JR-073RL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 3 OHM 4 RES 1206
- T97R108K6R3CAB
钽
Vishay Sprague
3024(7660 公制)
CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 3024
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Littelfuse Inc
DO-214AA,SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BIDIR 5% SMB
- SR201E473MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.047UF 100V 20% RADIAL
- STB4N62K3
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
- T95V106M6R3HZAL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- TC164-JR-07510KL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 510K OHM 4 RES 1206
- T97R156K050CBB
钽
Vishay Sprague
3024(7660 公制)
CAP TANT 15UF 50V 10% 3024
- MT9HTF12872PY-53EA1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 1GB 244-DIMM
- SMBJ8.5CA-E3/52
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Diodes Division
DO-214AA,SMB
TVS BIDIRECT 600W 8.5V 5% SMB
- SR201E683MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.068UF 100V 20% RADIAL
- T95V106M6R3HZSL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- STB4NK60ZT4
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
- TC164-JR-0751KL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 51K OHM 4 RES 1206
- MT9HTF25672AZ-667C1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-UDIMM
MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
- T97R156K050HAS
钽
Vishay Sprague
3024(7660 公制)
CAP TANT 15UF 50V 10% 3024
- SMBJ8.5CA-TP
TVS - 二极管
Micro Commercial Co
DO-214AA,SMB
TVS 600W 8.5V BIDIR SMB
- SR201E683MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.068UF 100V 20% RADIAL
- STB50N25M5
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
- T95V155K035ESAL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 1.5UF 35V 10% 1410
- MT9HTF6472FY-53ED4E3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-DIMM
MODULE DDR2 512MB 240-DIMM
- TC164-JR-0756RL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 56 OHM 4 RES 1206